BSC014N04LSTATMA1 vs BSC034N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC014N04LSTATMA1 por Infineon e BSC034N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC014N04LSTATMA1 BSC034N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC014N04LSTATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-Channel Trench) OptiMOS 5
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 33 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance R DS(on) max @ VGS=10V 1.45 mΩ —
R DS(on) typical @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 115 W —
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C -55C to +150C
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL MSL1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Lead-Free Yes —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 74 W

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação