BSC014NE2LSIATMA1 vs BSZ0901NSIATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon et BSZ0901NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC014NE2LSIATMA1 | BSZ0901NSIATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,34 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) | OptiMOS trench N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 74 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) | PG-TSDSON-8-FL (TSDSON EP, 3.3 mm x 3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSZ0901NSIATMA1 |
| Series | — | OptiMOS 25V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 40 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 69 W |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=4.5V] |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (typical MOSFET range) |
| Packaging | — | Tape & Reel (ATMA1 suffix = 13-inch reel) |