BSC016N06NSATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC016N06NSATMA1 par Infineon et IPD60R280P7SAUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC016N06NSATMA1 | IPD60R280P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Series | OptiMOS™ 5 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | 12 A |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | 30 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.6 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | 4 V max @ ID = 190 µA |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 139 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | 10 V | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 280 mΩ (typical) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Power Dissipation (Ptot, Tc) | — | 53 W |
| Operating Junction Temperature (TJ) | — | -40 °C to +150 °C |
| Series | — | CoolMOS P7 (7th generation, 600 V) |
| Integrated ESD Protection | — | Yes |