BSC016N06NSATMA1 vs IPD60R280P7SAUMA1 比較

詳細な並列比較: BSC016N06NSATMA1 メーカー: Infineon および IPD60R280P7SAUMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 - 60V 100A 1.6mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

BSC016N06NSATMA1 ✓ 生産中
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IPD60R280P7SAUMA1 IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 - 600V 280mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R280P7SAUMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSC016N06NSATMA1 IPD60R280P7SAUMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.48
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A 12 A
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] 4 V max @ ID = 190 µA
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C —
パッケージ PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TO252-3 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) 1
RoHS ステータス Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 CoolMOS P7 Superjunction (SJ) N-channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 280 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot, Tc) — 53 W
Operating Junction Temperature (TJ) — -40 °C to +150 °C
Series — CoolMOS P7 (7th generation, 600 V)
Integrated ESD Protection — Yes

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