BSC016N06NSTATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC016N06NSTATMA1 par Infineon et BSC050N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC016N06NSTATMA1 BSC050N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +150C
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Fiches techniques et ressources

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