BSC016N06NSTATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC016N06NSTATMA1 por Infineon e BSC050N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC016N06NSTATMA1 BSC050N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55C to +150C
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Fichas técnicas e recursos

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