BSC018NE2LSATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC018NE2LSATMA1 par Infineon et BSC019N04LSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC018NE2LSATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $1,21 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 29 A | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=10V | 1.8 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 39 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2800 pF @ VDS=12V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C (TJ) | -55 C to +150 C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (8-PowerTDFN) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 25V (Trench) | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |