BSC019N04NSGATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N04NSGATMA1 par Infineon et BSC014N04LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC019N04NSGATMA1 BSC014N04LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,39
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (trench) OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 C to +150 C
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tradename — OptiMOS

Fiches techniques et ressources

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