BSC019N04NSGATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC019N04NSGATMA1 por Infineon e BSC014N04LSIATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 - 40V 100A OptiMOS N-FET | Infineon

BSC014N04LSIATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC019N04NSGATMA1 BSC014N04LSIATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,58 $0,39
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (trench) OptiMOS 5 (trench, thin-wafer)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating]
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 C to +150 C
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 31 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc) — 96 W
Power Dissipation (PD, Ta) — 2.5 W
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Tradename — OptiMOS

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