BSC019N04NSGATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N04NSGATMA1 par Infineon et BSZ130N03LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC019N04NSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,58 $0,41
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Fiches techniques et ressources

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