BSC019N04NSGATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von BSC019N04NSGATMA1 von Infineon und BSZ130N03LSGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter BSC019N04NSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,58 $0,41
Transistortyp N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (trench) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mΩ —
RDS(on) typ at VGS=10V 1.9 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 125 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C -55 C to +150 C (junction)
Gehäuse PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 FL) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

Datenblätter & Ressourcen

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