BSC019N06NSATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N06NSATMA1 par Infineon et BSC019N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC019N06NSATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC019N06NSATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 100 A 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.95 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 136 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes Yes
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench)
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W

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