BSC019N06NSATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC019N06NSATMA1 por Infineon e BSC019N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC019N06NSATMA1 BSC019N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $1,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC019N06NSATMA1 —
Technology / Family OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 100 A 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V 1.95 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 136 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 1
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes Yes
Technology — OptiMOS 5 (N-channel trench)
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 237 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.9 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (TA=25C) — 3 W
Power Dissipation (TC=25C) — 214 W

Fichas técnicas e recursos

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