BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC019N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC019N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC019N08NS5ATMA1 BSC019N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,78 $0,92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 28 A 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 237 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: IDM pulse rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 214 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +150C (junction)
Boîtier PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes Yes
Part Number — BSC019N06NSATMA1
Technology / Family — OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.95 mΩ (typ)
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ — 3.3 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 136 W
Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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