BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC019N06NSATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC019N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC019N06NSATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC019N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.78 | $0.92 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| パッケージ | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 | 1 |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | Yes |
| Part Number | — | BSC019N06NSATMA1 |
| Technology / Family | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 60 V |
| On-State Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.95 mΩ (typ) |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Typ | — | 3.3 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 136 W |
| Channel Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Lead-Free | — | Yes |