BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC023N08NS5SCATMA1 par Infineon et BSC022N04LS6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC023N08NS5SCATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 79 W
Channel Type — N-Channel
Nombre de broches — 8
Température de fonctionnement — -55 C to +175 C (junction)

Fiches techniques et ressources

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