BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSC022N04LS6ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSC023N08NS5SCATMA1 от Infineon и BSC022N04LS6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ Активен
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSC023N08NS5SCATMA1 BSC022N04LS6ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,05 $0,66
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS™ 6 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Рабочая температура перехода -55 °C to +175 °C —
Корпус PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) — 139 A
On-Resistance RDS(on) max — 2.2 mOhm at VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 79 W
Channel Type — N-Channel
Число выводов — 8
Рабочая температура — -55 C to +175 C (junction)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену