BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC023N08NS5SCATMA1 par Infineon et BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC023N08NS5SCATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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