BSC023N08NS5SCATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC023N08NS5SCATMA1 por Infineon e BSZ110N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 - 80V 40A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ110N08NS5ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC023N08NS5SCATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,44
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC023N08NS5SCATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 202 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 188 W —
On-State Resistance RDS(on) typ. 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. 3.8 V —
Total Gate Charge Qg 98 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 6.8 nF —
Output Capacitance Coss 74 pF —
Thermal Resistance RthJC 0.72 K/W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Part Family — OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 40 A
On-Resistance RDS(on) max — 11 mΩ
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Polarity — N-Channel
Configuration — Single MOSFET
Gate Drive Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS rating]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fichas técnicas e recursos

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