BSC027N06LS5ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N06LS5ATMA1 par Infineon et BSC059N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC027N06LS5ATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,66 | $0,39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS™ 5 | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 83 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C | -55 C to +150 C |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 16 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| Boîtier | — | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |