BSC027N06LS5ATMA1 vs IAUC41N06S5L100ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC027N06LS5ATMA1 par Infineon et IAUC41N06S5L100ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC027N06LS5ATMA1 BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 - 60V 2.7mOhm N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

BSC027N06LS5ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC027N06LS5ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,43
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS™ 5 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] —
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V 2.7 mOhm —
On-Resistance (RDS(on)) @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55C to +175C
Boîtier / Format PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total Qg] —
Avalanche Energy Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 —
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 41 A
Power Dissipation (PD, TC) — 42 W
On-State Resistance (RDS(on)) max — 10 mOhm at VGS=10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Boîtier — PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm)
Channel Type — N-Channel
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101 automotive grade)
Interconnect — Copper clip (low-inductance)

Fiches techniques et ressources

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