BSC030N03LSGATMA1 vs BSC030N03MSGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC030N03LSGATMA1 par Infineon et BSC030N03MSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC030N03LSGATMA1 | BSC030N03MSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,43 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 3M |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta=25C | 23 A | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 3 mOhm | — |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) Typ | 2.2 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ @ VGS=15V | 55 nC | — |
| Output Charge (Qoss) | 66 pF | — |
| Input Capacitance (Ciss) Typ | 4.3 nF | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | 69 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | -55°C to +150°C |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 8-pin, exposed pad) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% tested) | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 3.0 mΩ (typical at VGS=10V) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25°C | — | 69 W |
| Drive Voltage (Min/Max RDS(on)) | — | 4.5V / 10V |
| Status | — | Active |