BSC034N06NSATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC034N06NSATMA1 par Infineon et BSC028N06NSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC034N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,40
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm 2.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Part Number Base — BSC028N06NS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Sans halogène — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

Fiches techniques et ressources

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