BSC034N06NSATMA1 vs BSC028N06NSTATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC034N06NSATMA1 제조: Infineon 및 BSC028N06NSTATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 - 60V 100A 3.4mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC034N06NSATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC034N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.65 $0.40
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 3.4 mOhm 2.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation at Ta=25C 2.5 W —
Power Dissipation at Tc=25C 74 W —
동작 온도 범위 -55C to +150C —
Technology OptiMOS 5 MOSFET N-Channel (OptiMOS 5)
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8, 5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Part Number Base — BSC028N06NS
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V to 3.5 V
Total Gate Charge Qg — 37 nC @ VGS=10V
Input Capacitance Ciss — 3000 nC [DATA_NEEDED: confirm exact pF from datasheet]
Output Capacitance Coss — 825 pF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 56 pF
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 100 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
할로겐 프리 — Yes
AEC-Q101 Automotive Qualified — [DATA_NEEDED: confirm from datasheet - this is the NS base, automotive grade may differ]

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