BSC039N06NSATMA1 vs IPB17N25S3100ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC039N06NSATMA1 par Infineon et IPB17N25S3100ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC039N06NSATMA1 | IPB17N25S3100ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,46 | $1,84 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 250 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] | 64 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.9 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | — |
| Power Dissipation at TA (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (PD) | 69 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Gate Drive Voltage (VGS) | ±20 V max | — |
| Technology | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Green Product) |
| Part Number | — | IPB17N25S3100ATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 17 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 100 mOhm max @ VGS = 10 V |
| Typical RDS(on) | — | 19.3 mOhm (manufacturer trench-technology figure, per datasheet collateral) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 19 nC @ VGS = 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.5 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 23 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 625 pF |
| Power Dissipation (PD) | — | 107 W at Tc = 25 C |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified (automotive grade) |
| Avalanche Rated | — | 100% avalanche tested |