BSC042NE7NS3GATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC042NE7NS3GATMA1 par Infineon et IAUZ40N06S5L050ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC042NE7NS3GATMA1 | IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,24 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC042NE7NS3GATMA1 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | — | 90 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | — | 5 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | — | 6.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | 2.2 V at 29 µA |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | — | 28.2 nC |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 71 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |