BSC0501NSIATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0501NSIATMA1 par Infineon et BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0501NSIATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,68
Manufacturer Infineon —
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Fiches techniques et ressources

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