BSC0501NSIATMA1 vs BSC070N10NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0501NSIATMA1 por Infineon e BSC070N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0501NSIATMA1 BSC070N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,68
Manufacturer Infineon —
Product Family OptiMOS 5 25V/30V —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 29 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 50 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: typical Qg]
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Technology Trench-gate OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 80 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Power Dissition at TC=25C (Ptot) — 83 W
Power Dissipation at TA=25C — 2.5 W
Faixa de temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes
Typical Application — Synchronous rectification in SMPS

Fichas técnicas e recursos

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