BSC0502NSIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC0502NSIATMA1 par Infineon et BSC014N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC0502NSIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,85 | $0,74 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +175C |
| Boîtier | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Niveau MSL | — | 1 (unlimited) |