BSC0502NSIATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0502NSIATMA1 por Infineon e BSC014N04LSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC0502NSIATMA1 - 30V N-Channel OptiMOS 5 MOSFET 2.3mOhm | Infineon
BSC0502NSIATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC0502NSIATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,85 | $0,74 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench MOSFET) | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 26 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 2.3 mOhm | — |
| Gate Charge QG (0V to 4.5V) Typ | 9.0 nC | — |
| Output Charge QOSS Typ | 13.5 nC | — |
| Power Dissipation at TA (Ta=25C) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC (Tc=25C) | 43 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55C to +175C |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Nível MSL | — | 1 (unlimited) |