BSC050N03LSGATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC050N03LSGATMA1 par Infineon et BSC0906NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC050N03LSGATMA1 BSC0906NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,36 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC050N03LSGATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 80 A 63 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A 18 A
On-State Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 5 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 50 W —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55C to +150C (junction, typical)
Channel Type N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Nombre de broches — 8

Fiches techniques et ressources

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