BSC050N04LSGATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC050N04LSGATMA1 par Infineon et BSC016N06NSTATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC050N04LSGATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,41 $0,92
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 5
Boîtier PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 C to +150 C
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

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