BSC050N04LSGATMA1 vs BSC016N06NSTATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC050N04LSGATMA1 por Infineon e BSC016N06NSTATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC050N04LSGATMA1 BSC016N06NSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,41 $0,92
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) 18 A —
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) 85 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM] —
Power Dissipation at Ta (PD) 2.5 W —
Power Dissipation at Tc (PD) 57 W —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 5
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 C to +150 C
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse avalanche) —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC016N06NSTATMA1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 31 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 1.6 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 167 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Lead-Free — Yes
Series — OptiMOS

Fichas técnicas e recursos

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