BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRFR5305TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC060P03NS3EGATMA1 par Infineon et IRFR5305TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC060P03NS3EGATMA1 IRFR5305TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,32
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C -55 C to +175 C
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) TO-252AA (DPAK)
Technology OptiMOS™ P-channel Trench HEXFET (IR MOSFET)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Drain-Source Voltage (VDS) Max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 31 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V — 65 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -2 V to -4 V
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 110 W
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) — 270 mJ
Niveau MSL — 1
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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