BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon et BSC097N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC070N10NS5ATMA1 | BSC097N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $0,38 |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 80 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissition at TC=25C (Ptot) | 83 W | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 2.5 W | — |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (Unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Typical Application | Synchronous rectification in SMPS | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 46 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM peak value] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.7 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg typ) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc=25C | — | 36 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Boîtier / Format | — | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Avalanche Rated | — | Yes (EAS per datasheet) |