BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC097N06NSATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSC070N10NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC097N06NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSC070N10NS5ATMA1 BSC097N06NSATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.68 $0.38
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
동작 접합 온도 범위 -55 C to +150 C —
패키지 PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (Unlimited)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 46 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — [DATA_NEEDED: ID at Ta=25C PCB-mounted]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM peak value]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.7 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation at Ta=25C — 2.5 W
Power Dissipation at Tc=25C — 36 W
동작 접합 온도 — -55C to +150C
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
Avalanche Rated — Yes (EAS per datasheet)

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