BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon et BSC118N10NSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC070N10NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,78
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 2
FET Type — N-Channel
Mode — Enhancement (Normal Level)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
Sans halogène — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

Fiches techniques et ressources

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