BSC070N10NS5ATMA1 vs BSC118N10NSGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC070N10NS5ATMA1 por Infineon e BSC118N10NSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC070N10NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,78
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 2
FET Type — N-Channel
Mode — Enhancement (Normal Level)
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 11 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 71 A
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 114 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free
Livre de halogênio — Yes
JEDEC Qualification — Qualified per target application
Target Application — High-frequency SMPS, synchronous rectification
Gate Charge x RDS(on) FOM — Excellent (per datasheet)

Fichas técnicas e recursos

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