BSC070N10NS5ATMA1 vs ISZ230N10NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon et ISZ230N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC070N10NS5ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,71
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (Ta) — 7.7 A
Continuous Drain Current (Tc) — 31 A
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 23 mΩ (typ, ID=10A)
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 3.3 V (typ at 13 µA)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V
Family — OptiMOS 6 (100V class)

Fiches techniques et ressources

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