BSC074N15NS5ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC074N15NS5ATMA1 par Infineon et BSC019N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC074N15NS5ATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,45 | $1,78 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 114 A | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | 214 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | -55 C to +150 C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Body Diode | Integrated | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |
| Avalanche Rated | — | Yes |