BSC074N15NS5ATMA1 vs BSC019N08NS5ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon e BSC019N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC074N15NS5ATMA1 | BSC019N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,45 | $1,78 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 trench | OptiMOS 5 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 114 A | — |
| Power Dissition (PD) at TC=25°C | 214 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | ±20 V |
| Encapsulamento | SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Faixa de temperatura de operação | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | -55 C to +150 C |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | 3.0 V |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: Qg total] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Body Diode | Integrated | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 28 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 237 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 214 W |
| Avalanche Rated | — | Yes |