BSC076N04NDATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC076N04NDATMA1 par Infineon et BSC340N08NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC076N04NDATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,82 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 65 W 32 W
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier / Format PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 92 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C
Boîtier — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Niveau MSL — 1
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fiches techniques et ressources

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