BSC076N04NDATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC076N04NDATMA1 por Infineon e BSC340N08NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC076N04NDATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,82 $0,81
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 3 —
Configuration Dual N-Channel (independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 40 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V (max, typical) —
On-Resistance RDS(on) max 7.6 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 65 W 32 W
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Qgd/Qgs Ratio < 0.8 (high shot-through immunity) —
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento / Caixa PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RoHS / Pb-Free Compliant (Pb-free plating) —
FET Type 2x N-Channel MOSFET array —
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 92 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C
Encapsulamento — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Nível MSL — 1
RoHS / Lead-Free — RoHS compliant, lead-free
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Fichas técnicas e recursos

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