BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon et BSC016N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC076N06NS3GATMA1 BSC016N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] 71 nC
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS Compliance Compliant —
Sans halogène Yes (per Infineon product page) —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Statut RoHS — Compliant
Gate Drive (recommended) — 10 V

Fiches techniques et ressources

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