BSC076N06NS3GATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon e BSC016N06NSATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC076N06NS3GATMA1 BSC016N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET OptiMOS™ 5
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] 71 nC
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C -55 °C to +150 °C
Encapsulamento PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) 1 (unlimited)
RoHS Compliance Compliant —
Livre de halogênio Yes (per Infineon product page) —
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Status RoHS — Compliant
Gate Drive (recommended) — 10 V

Fichas técnicas e recursos

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