BSC076N06NS3GATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon et IAUT300N08S5N012ATMA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC076N06NS3GATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,65 | $2,20 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS™-5 80 V |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 50 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 3.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Boîtier | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes (per Infineon product page) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1200 A (per datasheet, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |