BSC076N06NS3GATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon e IAUT300N08S5N012ATMA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC076N06NS3GATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,65 | $2,20 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS™-5 80 V |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 50 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.6 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 3.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS Compliance | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes (per Infineon product page) | — |
| Tipo de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 1200 A (per datasheet, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |