BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC077N12NS3GATMA1 par Infineon et BSC042NE7NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC077N12NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Type de transistor N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 75 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W 125 W
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Niveau MSL 1 1
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C

Fiches techniques et ressources

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