BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC042NE7NS3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC077N12NS3GATMA1 por Infineon e BSC042NE7NS3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSC042NE7NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 - 75V N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC042NE7NS3GATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSC077N12NS3GATMA1 BSC042NE7NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $1,24
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 75 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A 19 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W 125 W
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 1
Status RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Part Number — BSC042NE7NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3
RDS(on) max at VGS=10V — 4.2 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — 1.7 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C

Fichas técnicas e recursos

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