BSC0906NSATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0906NSATMA1 par Infineon et BSC0902NSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0906NSATMA1 BSC0902NSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,32
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 63 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 30 W —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS —
RDS(on) max (typical reference) [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (junction)
Nombre de broches 8 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes

Fiches techniques et ressources

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